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- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
本設(shè)備為雙靶磁控濺射鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應(yīng)用，也可實(shí)驗(yàn)室SEM樣品制備。
雙靶磁控濺射鍍膜儀配置結(jié)構(gòu)：
設(shè)備配有兩支磁控靶，兩套直流電源，可用于鍍多層導(dǎo)電金屬膜。同時(shí)設(shè)備具有主腔室和過(guò)渡艙兩部分，過(guò)渡艙配有磁力推桿，兩個(gè)艙室之間裝有真空閘板閥；用戶(hù)可以在主腔室進(jìn)行濺射工作的同時(shí)，在過(guò)渡艙裝填樣品，并進(jìn)行真空預(yù)抽，待主腔室濺射完成后即可將樣品通過(guò)磁力推桿推入主腔室的樣品臺(tái)。這樣的設(shè)計(jì)能夠減少主腔室抽放真空的次數(shù)，不僅能有效節(jié)省時(shí)間，更能保證更好的本地真空，有效提高鍍膜質(zhì)量。
雙靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
項(xiàng)目
明細(xì)
產(chǎn)品型號(hào)
CY-MSH325G-II-DCDC-SS
供電電壓
AC220V，50Hz
整機(jī)功率
6.5KW
系統(tǒng)真空
≦5×10-4Pa
樣品臺(tái)
外形尺寸
φ150mm
加熱溫度
≦500℃
控溫精度
±1℃
可調(diào)轉(zhuǎn)速
≦20rpm
磁控靶槍
靶材尺寸
直徑Φ50.8mm，厚度≦3mm
冷卻模式
循環(huán)水冷
水流大小
不小于10L/Min
真空腔體
腔體尺寸
直徑φ325mm，高度500mm
腔體材質(zhì)
SUU304不銹鋼
觀察窗口
直徑φ100mm
過(guò)渡腔體
150x150x150mm
開(kāi)啟方式
頂開(kāi)式
氣體控制
1路質(zhì)量流量計(jì)用于控制Ar流量，量程為:200SCCM
真空系統(tǒng)
配分子泵系統(tǒng)1套，氣體抽速600L/S
膜厚測(cè)量
可選配石英晶體膜厚儀，分辨率0.10 ?
濺射電源
配直流電源500W*2
控制系統(tǒng)
CYKY自研專(zhuān)業(yè)級(jí)控制系統(tǒng)
設(shè)備尺寸
1200mm×1200mm×2000mm
設(shè)備重量
450kg
